TPH3202LD
부품 번호:
TPH3202LD
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Transphorm
설명:
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 부품 상태 Obsolete
- 장착 유형 Surface Mount
- FET 유형 N-Channel
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
- FET 피처 -
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 등급 -
- 자격 인증 -
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 600 V
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 9A (Tc)
- Vgs (최대) ±18V
- 전력 소산 (최대) 65W (Tc)
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
- 기술 GaNFET (Gallium Nitride)
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 5.5A, 8V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760 pF @ 480 V
- 공급업체 장치 패키지 4-PQFN (8x8)
- 패키지 / 케이스 4-PowerDFN