SISS5708DN-T1-BE3
부품 번호:
SISS5708DN-T1-BE3
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Vishay Siliconix
설명:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
패키징:
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- FET 유형 N-Channel
- 기술 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (최대) ±20V
- FET 피처 -
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 20 nC @ 10 V
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 150 V
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 7.5V, 10V
- 공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S
- 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S
- 전력 소산 (최대) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 975 pF @ 75 V
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 9.3A (Ta), 33.8A (Tc)