S3M0025120J
부품 번호:
S3M0025120J
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
SMC Diode Solutions
설명:
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- FET 유형 N-Channel
- FET 피처 -
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 패키지 / 케이스 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 77A (Tc)
- 공급업체 장치 패키지 TO-263-7
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200 V
- 전력 소산 (최대) 517W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20mA
- 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V
- Vgs (최대) +18V, -4V
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 48A, 18V
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 175 nC @ 18 V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3519 pF @ 1000 V