RF9G120BLFRATCR
부품 번호:
RF9G120BLFRATCR
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
ROHM Semiconductor
설명:
NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
포장:
Cut Tape (CT)
ROHS 상태:
예
통화:
USD
사양
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- FET 유형 N-Channel
- 기술 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (최대) ±20V
- FET 피처 -
- 등급 Automotive
- 자격 인증 AEC-Q101
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- 작동 온도 150°C (TJ)
- 전력 소산 (최대) 23W (Tc)
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 40 V
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
- 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 470 pF @ 20 V
- 공급업체 장치 패키지 DFN2020Y7LSAA
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 171µA