P3M06060G7
부품 번호:
P3M06060G7
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
PN Junction Semiconductor
설명:
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
포장:
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태:
예
통화:
USD
사양
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- FET 유형 N-Channel
- FET 피처 -
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 등급 Automotive
- 자격 인증 AEC-Q101
- 패키지 / 케이스 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 650 V
- 공급업체 장치 패키지 D2PAK-7
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V
- 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
- 전력 소산 (최대) 159W
- Vgs (최대) +20V, -8V
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 44A
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 79mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 20mA (Typ)