NXVF6532M3TG01
부품 번호:
NXVF6532M3TG01
제품 분류:
FET, MOSFET 어레이
제조사:
onsemi
설명:
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Through Hole
- 부품 상태 Active
- FET 피처 -
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 31A (Tc)
- 컨피규레이션 4 N-Channel (Full Bridge)
- 기술 Silicon Carbide (SiC)
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 7.5mA
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 58nC @ 18V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1215pF @ 400V
- 파워 - 최대 65.2W (Tj)
- 패키지 / 케이스 13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
- 공급업체 장치 패키지 APM16