NC1M120C75RRNG

NC1M120C75RRNG

부품 번호: NC1M120C75RRNG
제품 분류: 단일 FET, MOSFET
제조사: NovuSem
설명: SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
포장: Tape & Reel (TR)
ROHS 상태:
통화: USD

사양

  • 부품 상태 Active
  • 장착 유형 Surface Mount
  • FET 유형 N-Channel
  • 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 46A (Tc)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200 V
  • 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V
  • 공급업체 장치 패키지 TO-263-7L
  • Vgs (최대) +18V, -5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 5mA
  • Rds On(최대) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 18V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1402 pF @ 1000 V
  • 전력 소산 (최대) 240W (Ta)
  • 패키지 / 케이스 TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)