N3T035MP120D
부품 번호:
N3T035MP120D
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
NoMIS Power
설명:
1200 V, 35 m SiC MOSFET, TO-247-
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 장착 유형 Through Hole
- 부품 상태 Active
- FET 유형 N-Channel
- FET 피처 -
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 패키지 / 케이스 TO-247-3
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200 V
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V
- 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (최대) +20V, -5V
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 20V
- 전력 소산 (최대) 319W (Tc)
- 공급업체 장치 패키지 TO-247-3L
- Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 15mA
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 76A
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 126 nC @ 20 V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2204 pF @ 800 V