IPB175N20NM6ATMA1
부품 번호:
IPB175N20NM6ATMA1
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Infineon Technologies
설명:
IPB175N20NM6ATMA1
패키징:
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- FET 유형 N-Channel
- 기술 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (최대) ±20V
- FET 피처 -
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 200 V
- 패키지 / 케이스 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 15V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 105µA
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3100 pF @ 100 V
- 공급업체 장치 패키지 PG-TO263-3-U01
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 9.7A (Ta), 61A (Tc)
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 38A, 15V
- 전력 소산 (최대) 3.8W (Ta), 203W (Tc)