IMZA120R022M2HXKSA1
부품 번호:
IMZA120R022M2HXKSA1
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Infineon Technologies
설명:
IMZA120R022M2HXKSA1
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Through Hole
- 부품 상태 Active
- FET 유형 N-Channel
- FET 피처 -
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 80A (Tc)
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200 V
- 패키지 / 케이스 TO-247-4
- 전력 소산 (최대) 329W (Tc)
- 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (최대) +25V, -10V
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V
- 공급업체 장치 패키지 PG-TO247-4-8
- Vgs(th) (Max) @ Id 5.1V @ 10.1mA
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 71 nC @ 18 V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2330 pF @ 800 V
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 32A, 18V