CGD65B200S2-T13
부품 번호:
CGD65B200S2-T13
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Cambridge GaN Devices
설명:
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
패키징:
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 650 V
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
- FET 유형 -
- 공급업체 장치 패키지 8-DFN (5x6)
- 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
- FET 피처 Current Sensing
- 기술 GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (최대) +20V, -1V
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 9V, 20V
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 280mOhm @ 600mA, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 2.75mA
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 1.4 nC @ 12 V