RM12N650T2
부품 번호:
RM12N650T2
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Rectron USA
설명:
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 장착 유형 Through Hole
- 부품 상태 Active
- FET 유형 N-Channel
- 기술 MOSFET (Metal Oxide)
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- FET 피처 -
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 패키지 / 케이스 TO-220-3
- 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 공급업체 장치 패키지 TO-220-3
- Vgs (최대) ±30V
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 650 V
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 870 pF @ 50 V
- 전력 소산 (최대) 101W (Tc)
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7A, 10V