GPI65008DF56
부품 번호:
GPI65008DF56
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
GaNPower
설명:
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
패키징:
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- FET 유형 N-Channel
- FET 피처 -
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 전력 소산 (최대) -
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 650 V
- 패키지 / 케이스 Die
- 공급업체 장치 패키지 Die
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 8A
- 기술 GaNFET (Gallium Nitride)
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V
- Vgs (최대) +7.5V, -12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 3.5mA
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1 nC @ 6 V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 63 pF @ 400 V