2301
부품 번호:
2301
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Goford Semiconductor
설명:
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
패키징:
Cut Tape (CT)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- 기술 MOSFET (Metal Oxide)
- FET 피처 -
- 등급 -
- 자격 인증 -
- 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 공급업체 장치 패키지 SOT-23-3
- FET 유형 P-Channel
- 드레인-소스 전압 (Vdss) 20 V
- Vgs (최대) ±12V
- 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 3A (Tc)
- 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
- 전력 소산 (최대) 1W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640 pF @ 10 V
- Rds On(최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
- 게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5 nC @ 2.5 V