TW083U65C,RQ
部品番号：
TW083U65C,RQ
商品分類：
単一FET、MOSFET
メーカー：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
包装：
Cut Tape (CT)
ROHSステータス：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Surface Mount
- FETタイプ N-Channel
- FETフィーチャー -
- グレード -
- 認定 -
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 28A (Tc)
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
- 最大消費電力 111W (Tc)
- 動作温度 175°C
- テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs（最大） +25V, -10V
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V
- パッケージ / ケース 8-PowerSFN
- サプライヤーデバイスパッケージ TOLL
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 28 nC @ 18 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 600µA
- 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 873 pF @ 400 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 124mOhm @ 15A, 18V