SI4666DY-T1-GE3
部品番号：
SI4666DY-T1-GE3
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
Vishay Siliconix
説明：
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 部品ステータス Obsolete
- 実装タイプ Surface Mount
- パッケージ / ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- FETタイプ N-Channel
- テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
- FETフィーチャー -
- グレード -
- 認定 -
- 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
- Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 34 nC @ 10 V
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 10V
- Vgs（最大） ±12V
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 25 V
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 16.5A (Tc)
- 最大消費電力 2.5W (Ta), 5W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V
- 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 1145 pF @ 10 V