S1M1000170D
部品番号：
S1M1000170D
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
SMC Diode Solutions
説明：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 実装タイプ Through Hole
- 部品ステータス Active
- FETタイプ N-Channel
- FETフィーチャー -
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- グレード -
- 認定 -
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
- パッケージ / ケース TO-247-3
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AD
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V
- 最大消費電力 81W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 1700 V
- テクノロジー SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Vgs（最大） +25V, -10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2A, 20V
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 10 nC @ 20 V
- 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 160 pF @ 1000 V