RM12N650T2
部品番号：
RM12N650T2
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
Rectron USA
説明：
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 実装タイプ Through Hole
- 部品ステータス Active
- FETタイプ N-Channel
- テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- FETフィーチャー -
- グレード -
- 認定 -
- パッケージ / ケース TO-220-3
- 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
- Vgs（最大） ±30V
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
- 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 870 pF @ 50 V
- 最大消費電力 101W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7A, 10V