NXVF6532M3TG01
部品番号：
NXVF6532M3TG01
製品分類：
FET, MOSFETアレイ
製造業者：
onsemi
説明：
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 実装タイプ Through Hole
- 部品ステータス Active
- FETフィーチャー -
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- グレード -
- 認定 -
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 31A (Tc)
- コンフィギュレーション 4 N-Channel (Full Bridge)
- テクノロジー Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 7.5mA
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 58nC @ 18V
- 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 1215pF @ 400V
- パワー - 最大 65.2W (Tj)
- パッケージ / ケース 13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
- サプライヤーデバイスパッケージ APM16