IMZA120R026M2HXKSA1
部品番号：
IMZA120R026M2HXKSA1
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
Infineon Technologies
説明：
IMZA120R026M2HXKSA1
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 実装タイプ Through Hole
- 部品ステータス Active
- FETタイプ N-Channel
- FETフィーチャー -
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- グレード -
- 認定 -
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 69A (Tc)
- パッケージ / ケース TO-247-4
- テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 60 nC @ 18 V
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V, 18V
- Vgs（最大） +23V, -7V
- サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO247-4-8
- Vgs(th) (Max) @ Id 5.1V @ 8.6mA
- 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 1990 pF @ 800 V
- 最大消費電力 289W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 27A, 18V