CGD65B200S2-T13
部品番号：
CGD65B200S2-T13
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
Cambridge GaN Devices
説明：
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
パッケージ：
Cut Tape (CT)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Surface Mount
- グレード -
- 認定 -
- 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
- FETタイプ -
- サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (5x6)
- パッケージ / ケース 8-PowerVDFN
- FETフィーチャー Current Sensing
- テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs（最大） +20V, -1V
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 9V, 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 600mA, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 2.75mA
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 1.4 nC @ 12 V