CGD65A055S2-T07
部品番号：
CGD65A055S2-T07
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
Cambridge GaN Devices
説明：
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
パッケージ：
Cut Tape (CT)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Surface Mount
- グレード -
- 認定 -
- 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 27A (Tc)
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
- FETフィーチャー Current Sensing
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 12V
- テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs（最大） +20V, -1V
- サプライヤーデバイスパッケージ 16-DFN (8x8)
- パッケージ / ケース 16-PowerVDFN
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 2.2A, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 10mA
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 6 nC @ 12 V