VisIC

VisICは2010年に設立され、急速に成長する電力変換市場向けに、高電圧（650V以上）で大量生産可能なGaNデバイスの技術ライセンサーおよびプロバイダーとして活動しています。技術チームはVisICを設立した時点で、GaNベースのRFデバイスの設計、製造、応用において累計20年以上の経験を有していました。彼らはGaNベースデバイスのコア材料と関連物理に関する深い理解を応用し、真のGaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ（MISHEMT）を開発しました。