RH7E04BBJFRATCB
شماره قطعه:
RH7E04BBJFRATCB
دستهبندی محصولات:
ترانزیستورهای تک فیلد (FETs)، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (MOSFETs)
تولیدکننده:
ROHM Semiconductor
توضیحات:
PCH -30V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
بستهبندی:
Cut Tape (CT)
وضعیت ROHS:
بله
ارز:
USD
مشخصات
- وضعیت قطعه Active
- نوع نصب Surface Mount
- فناوری MOSFET (Metal Oxide)
- ویژگی FET -
- درجه Automotive
- صلاحیت AEC-Q101
- نوع FET P-Channel
- ولتاژ درایو (حداکثر Rds On، حداقل Rds On) 4.5V, 10V
- ولتاژ درین به سورس (Vdss) 30 V
- جریان - تخلیه پیوسته (Id) در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد 40A (Tc)
- حداکثر بار گیت (Qg) در Vgs 65 nC @ 10 V
- بیشینه اتلاف توان 75W (Tc)
- دمای کاری 175°C (TJ)
- بسته/محفظه 8-PowerTDFN
- ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 2990 pF @ 15 V
- Rds روشن (حداکثر) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (Max) +5V, -20V
- بستهبندی قطعه تأمینکننده DFN3333T8LSAB
- Vgs(th) (حداکثر) @ Id 2.5V @ 2.2mA