P3M06060G7
شماره قطعه:
P3M06060G7
دستهبندی محصولات:
ترانزیستورهای تک فیلد (FETs)، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (MOSFETs)
تولیدکننده:
PN Junction Semiconductor
توضیحات:
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
بستهبندی:
Tape & Reel (TR)
وضعیت ROHS:
بله
ارز:
USD
مشخصات
- وضعیت قطعه Active
- نوع نصب Surface Mount
- نوع FET N-Channel
- ویژگی FET -
- دمای کاری -55°C ~ 175°C (TJ)
- درجه Automotive
- صلاحیت AEC-Q101
- بسته/محفظه TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- ولتاژ درین به سورس (Vdss) 650 V
- بستهبندی قطعه تأمینکننده D2PAK-7
- ولتاژ درایو (حداکثر Rds On، حداقل Rds On) 15V
- فناوری SiCFET (Silicon Carbide)
- بیشینه اتلاف توان 159W
- Vgs (Max) +20V, -8V
- جریان - تخلیه پیوسته (Id) در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد 44A
- Rds روشن (حداکثر) @ Id, Vgs 79mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(th) (حداکثر) @ Id 2.2V @ 20mA (Typ)