NC1M120C75RRNG
شماره قطعه:
NC1M120C75RRNG
دستهبندی محصولات:
ترانزیستورهای تک فیلد (FETs)، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (MOSFETs)
تولیدکننده:
NovuSem
توضیحات:
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
بستهبندی:
Tape & Reel (TR)
وضعیت ROHS:
بله
ارز:
USD
مشخصات
- وضعیت قطعه Active
- نوع نصب Surface Mount
- نوع FET N-Channel
- دمای کاری -55°C ~ 150°C (TJ)
- جریان - تخلیه پیوسته (Id) در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد 46A (Tc)
- ولتاژ درین به سورس (Vdss) 1200 V
- فناوری SiCFET (Silicon Carbide)
- ولتاژ درایو (حداکثر Rds On، حداقل Rds On) 18V
- بستهبندی قطعه تأمینکننده TO-263-7L
- Vgs (Max) +18V, -5V
- Vgs(th) (حداکثر) @ Id 2.3V @ 5mA
- Rds روشن (حداکثر) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 18V
- ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1402 pF @ 1000 V
- بیشینه اتلاف توان 240W (Ta)
- بسته/محفظه TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)