IV2Q12080T4Z

IV2Q12080T4Z

شماره قطعه: IV2Q12080T4Z
دسته‌بندی محصولات: ترانزیستورهای تک فیلد (FETs)، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (MOSFETs)
تولیدکننده: Inventchip
توضیحات: GEN2, SIC MOSFET, 1200V 80MOHM,
بسته‌بندی: Tube
وضعیت ROHS: بله
ارز: USD

مشخصات

  • نوع نصب Through Hole
  • وضعیت قطعه Active
  • نوع FET N-Channel
  • ویژگی FET -
  • دمای کاری -55°C ~ 175°C (TJ)
  • جریان - تخلیه پیوسته (Id) در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد 41A (Tc)
  • بیشینه اتلاف توان 250W (Tc)
  • ولتاژ درین به سورس (Vdss) 1200 V
  • بسته/محفظه TO-247-4
  • فناوری SiCFET (Silicon Carbide)
  • ولتاژ درایو (حداکثر Rds On، حداقل Rds On) 18V
  • بسته‌بندی قطعه تأمین‌کننده TO-247-4
  • Rds روشن (حداکثر) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
  • Vgs (Max) +20V, -5V
  • Vgs(th) (حداکثر) @ Id 4.5V @ 5mA
  • حداکثر بار گیت (Qg) در Vgs 53 nC @ 18 V
  • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1214 pF @ 800 V