TW048U65C,RQ
Part Number:
TW048U65C,RQ
Product Classification:
ترانزستورات تأثير المجال الفردية (FETs)، وترانزستورات MOSFET
Manufacturer:
Toshiba Semiconductor and Storage
Description:
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
Packaging:
Cut Tape (CT)
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- نوع FET N-Channel
- ميزة FET -
- الصف -
- التأهيل -
- الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 650 V
- التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 39A (Tc)
- استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 132W (Tc)
- درجة حرارة التشغيل 175°C
- تكنولوجيا SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (الحد الأقصى) +25V, -10V
- جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 18V
- الحزمة / العلبة 8-PowerSFN
- المورد الجهاز الحزمة TOLL
- شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 41 nC @ 18 V
- Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 5V @ 1.6mA
- السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 1362 pF @ 400 V
- Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 71mOhm @ 20A, 18V