SIR580DP-T1-BE3
Part Number:
SIR580DP-T1-BE3
Product Classification:
ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
Manufacturer:
Vishay Siliconix
Description:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Packaging:
Cut Tape (CT)
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- نوع FET N-Channel
- تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (الحد الأقصى) ±20V
- ميزة FET -
- الصف -
- التأهيل -
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 76 nC @ 10 V
- الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 80 V
- Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V
- المورد الجهاز الحزمة PowerPAK® SO-8
- الحزمة / العلبة PowerPAK® SO-8
- استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 7.5V, 10V
- التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 35.8A (Ta), 146A (Tc)
- السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 4100 pF @ 40 V