PJD100P04E-AU_L2_006A1
Part Number:
PJD100P04E-AU_L2_006A1
Product Classification:
ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
Manufacturer:
Panjit International Inc.
Description:
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging:
Cut Tape (CT)
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
- ميزة FET -
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- نوع FET P-Channel
- Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 2.5V @ 250µA
- الحزمة / العلبة TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 4.5V, 10V
- شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 190 nC @ 10 V
- Vgs (الحد الأقصى) ±25V
- السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 9400 pF @ 25 V
- الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 40 V
- المورد الجهاز الحزمة TO-252AA
- Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V
- التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 18A (Ta), 135A (Tc)
- استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 3W (Ta), 176W (Tc)