NH3T008MP120F2
Part Number:
NH3T008MP120F2
Product Classification:
مصفوفات الترانزستورات الحقليّة (FET) والترانزستورات الحقليّة ذات الأكسيد المعدني وأشباه الموصلات (MOSFET)
Manufacturer:
NoMIS Power
Description:
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Packaging:
Tray
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- المورد الجهاز الحزمة -
- ميزة FET -
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف -
- التأهيل -
- الحزمة / العلبة Module
- التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 200A (Tc)
- تكوين 2 N-Channel (Half Bridge)
- تكنولوجيا Silicon Carbide (SiC)
- الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 4V @ 100mA
- شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 530nC @ 20V