FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Part Number:
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Product Classification:
مصفوفات الترانزستورات الحقليّة (FET) والترانزستورات الحقليّة ذات الأكسيد المعدني وأشباه الموصلات (MOSFET)
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Packaging:
Tray
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- المورد الجهاز الحزمة -
- ميزة FET -
- الصف -
- التأهيل -
- الحزمة / العلبة Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- الطاقة - الحد الأقصى -
- تكنولوجيا Silicon Carbide (SiC)
- الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 1200V (1.2kV)
- التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 40A (Tj)
- Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 50A, 18V
- Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 5.15V @ 20mA
- شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 149nC @ 18V
- السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 4400pF @ 800V
- تكوين 6 N-Channel (Three Phase Inverter)