CGD65A055S2-T07
Part Number:
CGD65A055S2-T07
Product Classification:
ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
Manufacturer:
Cambridge GaN Devices
Description:
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Packaging:
Cut Tape (CT)
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف -
- التأهيل -
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 27A (Tc)
- الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 650 V
- ميزة FET Current Sensing
- جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 12V
- تكنولوجيا GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (الحد الأقصى) +20V, -1V
- المورد الجهاز الحزمة 16-DFN (8x8)
- الحزمة / العلبة 16-PowerVDFN
- Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 77mOhm @ 2.2A, 12V
- Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 4.2V @ 10mA
- شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 6 nC @ 12 V